捕鱼大咖官方版在集成电路中也有应用

更新时间：2018-06-11 浏览次数：2784

表性的集成电路有衬底为硅单晶的双极性Ic以及MOS IC(金属一氧化物一半导体堆)等半导体集成电路。本文将要讨论以超高集成化(VLSI)和超高速化为方向而开发的这些半导体集成电路中捕鱼大咖官方版 所起的作用，以及伴随着超I.SI化的发展，今后将提出什么样的绝缘膜技术等。

　　半导体集成电路是在一个单晶基片上形成非常多的(已达10s元件/芯片)双极晶体管和MOS晶体管等器件，为了发挥各自所定的功能，并用布线互相连结起来。在这种半导体集成电路中，对捕鱼大咖官方版的利用，可根据其作用和所要求的特性以及在膜形成工艺中所提出的条件，分类如下：

　　1、例如MOS晶体管中的栅绝缘膜，利用了捕鱼大咖官方版 /半导体界面现象，由此可实现有源器件的功能；

　　2、和器件相接触，如覆盖在晶体表面的SiOz膜，可以使晶体表面的化学性质以及电学性质不活泼，从而达到稳定器件特性的目的；

　　3、如在器件之间的晶体表面上形成的SiOz膜，使器件之间电气隔离并在表面上相互布线为目的的捕鱼大咖官方版 (场氧化膜)；

　　4、布线层之间电气绝缘为目的的层间捕鱼大咖官方版；

　　5、从物理的和化学的角度保护器件为目的，在集成电路的表面上形成的作为表面覆盖膜的捕鱼大咖官方版；

　　6、用于集成电路工艺\中，并用在杂质扩散、腐蚀、衬底表面氧化等进行局部工艺时的掩模等。

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